主要规格及技术指标

在30 keV下二次电子探测器分辨率1.2 nm，背散射电子探测器分辨率 2 nm；放大倍数 1x – 1000000x；最大视野：6 mm（工作距离9 mm），17 mm （工作距离30 mm）；工作电压：200 eV ~ 30 keV; 工作束流：2 pA ~ 200 nA。

主要功能及特色

定点切割、转移、固定样品。可用于样品表面观测，切割，适用于TEM样品制备。

主要附件及配置

纳米操纵器（1个），气体沉积系统（Pt，SiO2，W，F2，H2O）,电子束曝光系统