主要规格及技术指标

温度范围2 K至400 K；最大磁场9 T；测试薄膜器件样品不同温度和磁场条件下的I-V（或R-V）曲线。

主要功能及特色

薄膜器件样品的物性测量，最大磁场可达9T，温度控制范围2 K至400 K。

主要附件及配置

薄膜器件样品在不同温度和磁场条件下的I-V（或R-V）曲线。